The hot carrier temperature and the impurity band in Kane's theory for heavily doped semiconductor photoluminescence analysis

G. Fonthal, L. E. Tobón, J. Quintero, N. Piraquive, H. Ariza-Calderón

Producción: Contribución a una revistaArtículorevisión exhaustiva

Huella

Profundice en los temas de investigación de 'The hot carrier temperature and the impurity band in Kane's theory for heavily doped semiconductor photoluminescence analysis'. En conjunto forman una huella única.

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