Detalles del proyecto
Descripción
En este proyecto se propone una arquitectura novedosa de un detector de radiación ionizante (Fig. 1(b)). En primer lugar, estará basado en una mezcla (blenda) entre polímeros semiconductores tipo fotoconductores y fosforescentes, de tal manera que cada proceso de fotoconversión estará confinado al volumen ocupado por los tres moléculas semiconductores. La blenda será depositada por la técnica de spin coating [6 sobre substratos plásticos trasparentes con electrodo transparente (ver Fig. 1(b)). Posteriormente se depositará el contacto metálico en condiciones de alto vacío (~10-6 mbar).
Estado | Finalizado |
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Fecha de inicio/Fecha fin | 16/04/12 → 15/05/14 |
Financiación de proyectos
- Interna
- Vicerrectoría de Investigación
- PONTIFICIA UNIVERSIDAD JAVERIANA