VCSAM RAMPING SIMULATOR V1.0

OCTAVIO ALEJANDRO CASTAÑEDA URIBE; JUAN CARLOS SALCEDO REYES

VCSAM RAMPING SIMULATOR V1.0

OCTAVIO ALEJANDRO CASTAÑEDA URIBE
, JUAN CARLOS SALCEDO REYES

Pontificia Universidad Javeriana

Research output: Innovation Products › Registered technology or knowledge products › peer-review

Abstract

EL PROGRAMA VCSAM RAMPING SIMULATOR V 1.0 PERMITE SIMULAR EL PROCESO DE FABRICACIÓN DE CRISTALES COLOIDALES DE SIO 2 USANDO EL MÉTODO DE AUTOENSAMBLADO CONVECTIVO POR DEPOSICIÓN VERTICAL (VCSAM POR SUS SIGLAS EN INGLÉS) APLICANDO CONDICIONES DE RAMPAS DE TEMPERATURA DE 0.5 C/H.

Original language	Spanish
Publication/registration number	13-92-364
Grant date	18/11/22
Filing date	18/11/22
State	Published - 18 Nov 2022

Cite this

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author = "URIBE, \{OCTAVIO ALEJANDRO CASTA{\~N}EDA\} and REYES, \{JUAN CARLOS SALCEDO\}",

year = "2022",

month = nov,

day = "18",

language = "Espa{\~n}ol ",

type = "Patent",

note = "13-92-364",

}

TY - PAT

T1 - VCSAM RAMPING SIMULATOR V1.0

AU - URIBE, OCTAVIO ALEJANDRO CASTAÑEDA

AU - REYES, JUAN CARLOS SALCEDO

PY - 2022/11/18

Y1 - 2022/11/18

N2 - EL PROGRAMA VCSAM RAMPING SIMULATOR V 1.0 PERMITE SIMULAR EL PROCESO DE FABRICACIÓN DE CRISTALES COLOIDALES DE SIO 2 USANDO EL MÉTODO DE AUTOENSAMBLADO CONVECTIVO POR DEPOSICIÓN VERTICAL (VCSAM POR SUS SIGLAS EN INGLÉS) APLICANDO CONDICIONES DE RAMPAS DE TEMPERATURA DE 0.5 C/H.

AB - EL PROGRAMA VCSAM RAMPING SIMULATOR V 1.0 PERMITE SIMULAR EL PROCESO DE FABRICACIÓN DE CRISTALES COLOIDALES DE SIO 2 USANDO EL MÉTODO DE AUTOENSAMBLADO CONVECTIVO POR DEPOSICIÓN VERTICAL (VCSAM POR SUS SIGLAS EN INGLÉS) APLICANDO CONDICIONES DE RAMPAS DE TEMPERATURA DE 0.5 C/H.

M3 - Productos tecnológicos o de conocimiento registrados

M1 - 13-92-364

Y2 - 2022/11/18

ER -