Medición de propiedades eléctricas a diferentes temperaturas en óxidos semi - conductores en forma de película delgada.

Los óxidos semiconductores (compuestos II-VI como SnO2 y ZnO dopados con Flúor o Indio) se usan normalmente como electrodos metálicos transparentes en celdas solares, con el objeto de incrementar su eficiencia, pues estos materiales sustituyen los tradicionales electrodos metálicos opacos que extraen los portadores fotogenerados en fotoceldas. Más recientemente, los óxidos semiconductores se vienen usando como capas de transporte e inyección de huecos en dispositivos basados en semiconductores orgánicos, como por ejemplo fotodiodos orgánicos (OLEDs), fotoceldas y memorias basadas en películas delgadas orgánicas. El objeto de realizar medidas eléctricas ( resistividad y efecto Hall) sobre este tipo de materiales a diversas temperaturas, es investigar tanto el tipo de portadores mayoritarios (electrones o huecos), así como cuantificar su abundancia (densidad de portadores), su movilidad, y los mecanismos de dispersión de portadores presentes en el material, con el objeto de mejorar su conductividad y transparencia.