Determinación de propiedades eléctricas de películas semiconductoras orgánicas en función de la temperatura.

Se trata de fabricar dispositivos de almacenamiento de datos (memorias) basadas en interfases metal / orgánico / metal que ocasionan un cambio hasta de 5 órdenes de magnitud en la conductividad eléctrica de la película orgánica, una vez el voltaje aplicado entre los electrodos metálicos supera un cierto valor umbral. Los estados de alta y baja conductividad en una película orgánica pueden ser interpretados como estados de bit 1 y 0, y pueden ser reversibles en algunos casos. Los electrodos se fabrican usando sputtering mientras que la película orgánica se deposita usando la técnica de spin coating. Las propiedades eléctricas de estos dispositivos (resistividad, voltaje umbral, etc.) y su estabilidad se evaluarán en función de la temperatura en el rango 200K - 300K. Con este estudio se pretende investigar los mecanismos que ocasionan el cambio abrupto de conductividad en las películas orgánicas, el cual es un tópico de frontera en la ciencia y tecnología contemporánea.}